ANSYS电磁仿真中场路协同作为一种重要的仿真手段，价值不言而喻，尤其面对当前日益复杂的SI/PI/EMC等应用场景，其不仅可以让用户直观的观察系统部件的电场磁场变化趋势，也能的定量查看信号噪声、电源噪声以及传到干扰和辐射干扰的具体数值。不同于HFSS/Siwave中加载的集总端口、波端口、电路端口等，Circuit端口相对单一具体如下所示：

然而有时候很多场景我们又需要配置一些等复杂的信息进去，比如激励、阻抗，下面为大家详细说明Port的关键参数以及配置操作步骤。

1. 双击Port1进入如下界面，这里可以自定义端口名称和参考节点。
单击参考节点下拉菜单，在现有端口上选择要用作连接到此端口的所有源的公共参考节点的端口；默认为“接地”。Symbol为Interface Port和Microwave Port；

2. 接着进行阻抗配置，阻抗有两种Simple termination和One port data
选择“Simple termination”后，设置端口阻抗的实部（Re）和虚部（Im）。实数部分的默认阻抗为50欧姆，虚数部分为0欧姆。

还可以使用引用变量 “F频率”的表达式设置端口阻抗值。

注：“F”只能用于线性网络分析。

l选择One port data，使用“编辑”或“新建”编辑单端口设备或创建新设备。然后，可以在使用特性阻抗（Zo）或使用阻抗矩阵之间进行选择。当然也可以数据导入

3. 配置温度噪声
单击复选框“启用噪声”。阻抗场的噪声温度和噪声数据被激活。

l“噪声温度”的默认值为16.85℃。也可以根据实际需要输入其他温度，同样可以导入阻抗随温度变化的曲线。要创建电源、电压或电流源并将其与一个或多个端口关联，请右键单击“项目管理器”窗口中的“激励”图标，然后选择“配置源”

4. 配置激励
这里我们可以创建电源、电压或电流源并将其与一个或多个端口关联：电源、电压或电流源的详细参数同样可以自定义

5. 下面我们进行一个直流电压源案例的操作演示
第一步设置Symbol为Microwave Port，阻抗默认为50ohm不做调整。

第二步添加激励

第三步选择直流电压源激励并链接到端口

第四步配置直流电压源激励详细参数

至此端口的重新激励配置完成，具体如下图所示。